Роль и влияние структурного фактора на накопление и распад дефектов в широкозонных кристаллах
Full Name of the work head: Омаров Х.Б.
Исполнители проекта: Кокетай Т.А.*
: Карагандинский государственный университет им. Е.Букетова
Inventory number: 0214РК00444
Registration number: 0112РК02781
Keywords: широкозонные кристаллы*детекторы ионизирующей радиации*
Получены результаты, которые могут быть использованы для прогнозирования поведения нелинейных кристаллов KDP, LiKSCО[4] и Li[2]SO[4] в оптических приборах. Явления подавления накопления ряда стабильных радиационных дефектов в KDP, LiKSCО[4] и Li[2]SCО[4] открывают возможность повышения эффективности этих материалов в оптическом приборостроении. Введение в них примесных анионов, являющихся эффективными ловушками для электронов, приводит к значительному уменьшению накопления электронно-избыточных дефектов типа (РО[3]){-}, которые дают полосу поглощения в области прозрачности KDP и являются наиболее термически стабильными. Активированные кристаллы KDP обладают сцинтилляционными свойствами. Полученные результаты закладывают научные основы для направленного синтеза из этих соединений детекторов ионизирующей радиации.*
