Разработка инновационной ионно-плазменной технологии производства тонкопленочных фотоэлементов на основе аморфного кремния, легированного нанокаплями серебра
Full Name of the work head: Чакров П.В.
Исполнители проекта: Тулеушев Ю.Ж.*
: Институт ядерной физики
Inventory number: 0214РК01357
Registration number: 0112РК02485
Keywords: Спектры пропускания*рамановское рассеяние*запрещенная зона*фотоэлемент*
Исследованы покрытия из аморфного и микроморфного кремния, легированного нанокаплями серебра. Получены спектры пропускания и отражения покрытий из микроморфного кремния с различным содержанием серебра. Показано, что эти спектры подтверждают образование нанокапель серебра при содержании серебра в покрытии 25 ат.%. Проанализированы рамановские спектры покрытий из микроморфного кремния с различным содержанием серебра. Обнаружено сильное увеличение комбинационного рассеяния при концентрации серебра 25 ат.%. Осуществлено исследование к.п.д. фотоэлементов из микроморфного кремния с содержащимися в нем нанокаплями серебра. Показано, что при формировании p-n-перехода на пластине из монокристаллического кремния р-типа фотоэлемент не получается. При формировании p-n-перехода из слоев аморфного кремния р- и n-типа в одном технологическом цикле, получается фотоэлемент с к.п.д., равным 6%. При напылении на такой фотоэлемент слоя аморфного n-кремния, легированного нанокаплями серебра, к.п.д. фотоэлемента увеличивается до 7,14 %.*