Разработка физико-технологических процессов формирования светоизлучающих структур на основе системы SiO[2]/Si с квантовыми точками полупроводников AB для систем оптоэлектроники
Full Name of the work head: Габдуллин М.Т.
Исполнители проекта: Тогамбаева А.К.*
: Национальная нанотехнологическая лаборатория открытого типа при КазНУ им. аль-Фараби
Inventory number: 0213РК03022
Registration number: 0113РК01137
Keywords: компьютерное моделирование*пробеги ионов*профили распределения ионов*метод Монте-Карло*термооксидирование*
Исследованы структуры SiO[2]/Si, имплантация ионов Zn, Se и S. Рассмотрены вопросы моделирования имплантационных профилей при высокодозовой ионной имплантации с помощью метода Монте-Карло. Проанализированы экспериментальные профили внедренных атомов с помощью TRIM-алгоритмов последней версии программы STRIM. Проведены операции оксидирования кремниевых пластин с целью создания структур SiO[2]/Si с толщиной диоксида кремния 40 нм и 600 нм.*
