Разработка физико-технологических процессов формирования светоизлучающих структур на основе системы SiO[2]/Si с квантовыми точками полупроводников AB для систем оптоэлектроники
Руководитель проекта: Габдуллин М.Т.
Исполнители проекта: Тогамбаева А.К.*
Организация: Национальная нанотехнологическая лаборатория открытого типа при КазНУ им. аль-Фараби
Исследованы структуры SiO[2]/Si, имплантация ионов Zn, Se и S. Рассмотрены вопросы моделирования имплантационных профилей при высокодозовой ионной имплантации с помощью метода Монте-Карло. Проанализированы экспериментальные профили внедренных атомов с помощью TRIM-алгоритмов последней версии программы STRIM. Проведены операции оксидирования кремниевых пластин с целью создания структур SiO[2]/Si с толщиной диоксида кремния 40 нм и 600 нм.*
