Для выявления механизмов и закономерностей формирования и распределения электрически активных центров в узкозонных полупроводниковых соединениях проведены исследования дефектообразования и эволюции дефектной структуры в эпитаксиальных пленках РвS при электронном и ионном облучениях и последующих термических воздействиях. Экспериментально изучены электрические и фотоэлектрические свойства облученных пленок. Разработана теоретическая модель изменения электрических свойств. Результаты могут служить основой для прогнозирования изменения электрических и фотоэлектрических свойств и выбора оптимальных режимов радиационно-термической обработки тонкопленочных полупроводниковых приборов.