Процессы дефектообразования в узкозонных полупроводниковых соединениях
Full Name of the work head: Зайкина Р.Ф.
Исполнители проекта:
: НИИ эксперим.и теорет.физ.при КазГУ
Inventory number: 0297РК00836
Registration number: 0197РК01156
Keywords: полупроводниковые, соединения, дефектообразование, эпитаксиальные, пленки, облучение, термические, воздействие, свойства,
Для выявления механизмов и закономерностей формирования и распределения электрически активных центров в узкозонных полупроводниковых соединениях проведены исследования дефектообразования и эволюции дефектной структуры в эпитаксиальных пленках РвS при электронном и ионном облучениях и последующих термических воздействиях. Экспериментально изучены электрические и фотоэлектрические свойства облученных пленок. Разработана теоретическая модель изменения электрических свойств. Результаты могут служить основой для прогнозирования изменения электрических и фотоэлектрических свойств и выбора оптимальных режимов радиационно-термической обработки тонкопленочных полупроводниковых приборов.
