Производство солнечных элементов требует освоения низкозатратных методов, позволяющие изготавливать эффективные антиотражающие слои с помощью анодирования поверхности, кремниевых солнечных элементов в специальных электролитических растворах и создания фотонного кристалла. Проведено изготовление наноструктурированного антиотражающего покрытия на основе кремния к солнечному элементу, сформирован фотонный кристалл на поверхности СЭ, изготовлены опытные образцы эффективных солнечных СЭ с антиотражающим покрытием из нанопористого кремния и фотонного кристалла, исследованы параметры СЭ на основе кремния с наноструктурированным антиотражающим покрытием. Разработана методика и комплекс аппаратуры для получения одномерных фотонных кристаллов на основе пористого кремния. Получены образцы фотонных кристаллов и исследованы их спектры отражения в видимом и ближнем ИК диапазонах, рассчитаны фотонные запрещенные зоны для них. Полученные экспериментальные и теоретические результаты указывают на возможность использования фотонных кристаллов в качестве эффективных отражателей света ближнего ИК диапазона, что можно использовать в устройствах фотовольтаики.*