Разработка и исследование процессов формирования нанокристаллов кремния в слоях Si[3] и Si[3]O[4]N[y] методами ионной имплантации и термообработок для светодиодных структур, излучающих в диапазоне 1,8-4,0 эВ
Full Name of the work head: Габдуллин М.Т.
Исполнители проекта: Тогамбаева А.К.*
: Национальная нанотехнологическая лаборатория открытого типа при КазНУ им. аль-Фараби
Inventory number: 0213РК02597
Registration number: 0112РК01174
Keywords: осаждение нитрида*термообработка*нанокристаллы кремния*фотолюминесценция*
Показано, что термообработка во всех случаях приводила к формированию нанопреципитатов, даже для структуры с избытком азота (параметр "х"=1,86). Анализ элементного состава отожженных образцов нитридных структур показал, что при термообработке не происходит заметной сегрегации атомов кремния на поверхности или границе раздела "пленка SiN[x] - подложка кремния" или перераспределения кремния (или азота) по глубине нитридных слоев после отжигов. Установлено, что сразу после осаждения в состав нитридных слоев входит водород. Прогрев при температурах от 800 град. С в течение часа приводит к дегидрогенизации нитрида.*
