Создание технологических основ получения гетероэпитаксиальных углеродных пленок в присутствии внешних полей
Руководитель проекта: Габдуллин М.Т.
Исполнители проекта: Алиев Б.А.*
Организация: Национальная нанотехнологическая лаборатория открытого типа при КазНУ им. аль-Фараби
Инвентарный номер: 0213РК02096
Регистрационный номер: 0113РК00271
Ключевые слова: гетероэпитаксия*точечная симметрия*кристаллическая структура*углеродные пленки*напыление*
Проведен обзор существующих методов получения углеродных пленок, из которого видно, что при синтезе алмазных пленок возникают ряд проблем. Для решения этих проблем, предлагается использовать регулирующее влияние внешних полей (электростатического, магнитного, оптического, упругого, температурного) форма которых соответствует определенной предельной группе симметрии. Проведены расчҒты влияния электростатического и магнитного полей на энергетическое состояние помещҒнных в эти поля зародышей алмаза и графита. Рассчитаны геометрически оптимизированные углеродные слои с алмазной структурой на поверхности кремния и меди различной ориентации, определены структурные параметры и плотности энергии деформации углеродной пленки. Показана невозможность эпитаксиального выращивания высококристалличных алмазных пленок на кремнии. Проведен ряд экспериментов по синтезу углеродных плҒнок на поверхности кремниевых пластин методом кислородно-ацетиленовой горелки. Предложенная методика позволяет осаждать с достаточно высокими скоростями спектр углеродных материалов от графито-подобных до стеклоуглерода на поверхности практически любых материалов. Построено математическое описание (алгоритм) процесса напыления углеродной пленки на буферном слое меди. Проведен расчет аналитических зависимостей технологических параметров процесса напыления буферного слоя меди в среде аргон-водород и напыления углеродной пленки в атмосфере аргона. Сконструирован и собран реактор для проведения экспериментов по напылению углеродных пленок методом дифференциального магнетронного распыления.*