Разработка экономичного процесса получения тонкопленочных структур для солнечных элементов мультиплицированием монокристаллической подложки из арсенида галлия
Full Name of the work head: Габдуллин М.Т.
Исполнители проекта: Антощенко В.С.*
: Национальная нанотехнологическая лаборатория открытого типа при КазНУ им. аль-Фараби
Inventory number: 0213РК02002
Registration number: 0112РК01106
Keywords: наномембраны*солнечные фотоэлементы*полупроводники*монокристаллическая пленка*арсенид галлия*
Цель работы - разработать экономичный процесс изготовления тонкопленочных структур для солнечных элементов, предполагающий многократное использование одной и той же дорогостоящей монокристаллической подложки из арсенида галлия. Для проведения работы применены компьютерный расчет с использованием оригинальных программ и синтез свободно расположенных пленок арсенида галлия на установке жидкофазной эпитаксии в потоке водорода. Впервые получены свободно расположенные монокристаллические пленки с высоким кристаллическим совершенством отделенные от подложки GaAs. Экономическая эффективность состоит в том, что использование тонких монокристаллических пленок GaAs позволяет улучшить рабочие характеристики и снизить себестоимость полупроводниковых приборов, в частности, солнечных элементов.*
