Разработка и исследование процессов создания нанопористых материалов на основе структур SiO[2]/Si, Si[3]N[4]/Si для систем микро-, опто- и наноэлектроники методом вытравливания треков ионов
Руководитель проекта: Сыдыков Е.Б.
Исполнители проекта: Даулетбекова А.К.*
Организация: Евразийский национальный университет им. Л.Н.Гумилева
Инвентарный номер: 0213РК02811
Регистрационный номер: 0113РК01003
Ключевые слова: ионное облучение*трек*нанопористый материал*модель термического пика*
Исследованы структуры SiO[2]/Si, Si[3]N[4]/Si. Оценены параметры треков ионов методами компьютерного моделирования. Изучены возможности использования рассчитанных ионов для создания нанопористых материалов в диоксиде кремния и нитриде кремния.*