Получение и исследование нитридгаллиевых светодиодных структур, сформированных нитридизацией нанопористого GaAs или GaP методом ионной имплантации
Full Name of the work head: Габдуллин М.Т.
Исполнители проекта: Диханбаев К.К.*
: Национальная нанотехнологическая лаборатория открытого типа при КазНУ им. аль-Фараби
Inventory number: 0213РК01723
Registration number: 0112РК02565
Keywords: арсенид галлия*фосфид галлия*светодиоды*полупроводники*
Нитрид галлий является энергетикой будущего, создание на его основе светодиодов открывает новые горизонты энергосберегающих источников. Светоизлучающие диоды применяются в полноцветных видеодисплеях, пикселях разных размеров, дорожных светофорах и знаках, стоп-сигналах и индикаторах поворота транспортных средств, а также в фонариках, интерьерной подсветке, освещениях фасадов зданий, подсветке дисплеев и клавиш мобильных телефонов, освещении в автомобилях, уличном освещении.*
