Целью является установление особенностей взаимодействия и структуры слабосвязанных ядер при низких энергиях, а также исследование механизмов трансформации преобразования энергии в различных типах детекторов, в сцинтилляционных, дозиметрических материалах с целью улучшения основных параметров и чувствительности их к внешним воздействиям. Изучены энергетические и массовые зависимости параметров макроскопической оптической модели для дейтронов с энергиями от кулоновского барьера до 200 мэв. Получены глобальные энергетические зависимости параметров макроскопической оптической модели и энергетические зависимости полных сечений для реакции ({6,7}Li + Si) при низких энергиях. В кристаллах LiKSO[4], Li[2]SO[4] и Na[2]SO[4] впервые обнаружена широкая полоса излучения с несколькими максимумами. Рекомбинационное излучение возникающее при прямом возбуждении рентгеновским излучением или во время рекомбинации электронно-дырочных центров захвата возбуждаются в фундаментальной области кристалла, где создаются собственные электронные возбуждения - электронно-дырочные пары или экситоны. При облучении кристаллов ультрафиолетовым светом возникают молекулярные экситоны или низко энергетические электронно-дырочные пары. При захвате электронов и дырок анионными комплексами SO[4]{2-} создаются электронные SO[4]{3-} и дырочные SO[4]{-} - центры захвата в определенных кристаллографических направлениях.*