Разработка технологии получения нового люминесцентного материала для повышения КПД фотоэлектрических преобразователей на основе кремния
Full Name of the work head: Сыдыков Е.Б.
Исполнители проекта: Нурахметов Т.Н.*
: Евразийский национальный университет им. Л.Н.Гумилева
Inventory number: 0213РК01692
Registration number: 0112РК02285
Keywords: полупроводниковые квантовые точки*трансформация частоты света*оксид кремния*спектроскопия*фотопреобразователь*люминесцентные покрытия*
Цель работы: получение и исследование люминесцентных, оптических свойств мезопористых коллоидных частиц оксида кремния, активированных ионами Еu{3+} и Тb{3+}, вышеназванных полупроводниковых квантовых точек в растворах и внедренных в полимерных матрицах как люминесцентные покрытия для фотоэлектрических преобразователей (ФЭП), изучение электрических характеристик ФЭП с люминесцентными покрытиями. В работе синтезированы мезопористые частицы оксида кремния с примесью Еu{3+} и Тb{3+}, квантовые точки широкозонных полупроводников CdS, CdSe, CdTe с заданными спектральными, оптическими, люминесцентными характеристиками; синтезированы тонкие пленки с осажденными полупроводниковыми квантовыми точками для ФЭП; на основании измерения спектральных характеристик люминесцентных преобразователей мезопористого оксида кремния показано, что собственное излучение матрицы эффективно передается примесям Еu{3+} и Тb{3+}; на основании измеренных спектров излучения и возбуждения полупроводниковых квантовых точек в растворе и полимерной пленке показано, что ультрафиолетовое и видимое излучения матрицы с высокой эффективностью передается квантовым точкам; квантовые точки излучают в красной области спектра необходимое для ФЭП; на основании измерения спектров поглощения оценена ширина запрещенной зоны полупроводниковых квантовых точек. Показано, что интенсивность излучения квантовых точек "ядро-оболочка" в 5-6 раз больше, чем излучения квантовых точек без оболочки. Электронно-микроскопическими методами определены размеры квантовых точек.*