Исследован процесс двухстадийного получения кремния высокой чистоты из чистых компонентов (кварца и углерода) через плазменный синтез карбида кремния и вакуумно-дуговое восстановление смеси карбида и двуокиси кремния. Определен состав шихты для реализации процесса плазменного синтеза карбида кремния на специализированной плазменной печи ПТ-001/И1. Изготовлены пленочные проводящие материалы на основе кремния. Исследован оптимальный состав шихты для получения карбида кремния, результаты анализа показали, что наиболее приемлемым составом является порошок чистого кварца крупностью 0.2 - 0.6 мм с чистотой по SiO[2] 99,998 % и содержанием отдельных мешающих примесей не более 0,05 ррm, а также углеродное сырье в виде технической углеродной сажи. Определены технологические параметры грануляции, в частности определено, что для повышения степени извлечения кремния из шихты, необходимо ее измельчить со средним размером частиц 15-20 мм, а также необходимо плакировать углеродную сажу восстановителем, размер частиц которого должен быть меньше кварцевого сырья в 2 раза. Основное назначение данной технологии - получение чистого кремния, пригодного для производства пластин для фотоэлектрических преобразователей.*