Методом термической диффузии изготовлены фотопреобразовательные структуры с р-n - переходом на основе кремния. Формирование высококачественного n{+}-р перехода в кремний методом кратковременного термического нагрева с нанесением трафаретной печати диффузанта позволило сократить время изготовления солнечных элементов на 12-14 %. Определены оптимальные режимы условий термообработки контактов к n-GaAs из сплава "серебро-германий-индий" для создания низкоомных омических контактов к тыльным и фронтальным поверхностям. Разработанные методы создания омических контактов позволяют создавать "толстый" слой с повышенной концентрацией электронов за счет легирования германием, и устраняют процесс возникновения избыточного галлия, в прилегающей к контакту области арсенида галлия, за счет диффузии серебра. Определен диапазон температур, в котором достигается наименьшее значение величины поверхностного сопротивления. Разработана методика создания высокоэффективных арсенид галлиевых солнечных элементов способом внедрения в их структуру металлооксидных наночастиц. Покрытие из наночастиц оксида никеля повышает коэффициент полезного действия солнечных элементов на 4,7 %. Повышение происходит за счет рассеяния света на наночастицах и увеличения доли поглощенных фотонов в активной области солнечных элементов.*