Национальный научный портал Республики Казахстан

КЛЫШЕВ ЛУКБАН КЛЫШЕВИЧ (1909-1991)

советский учёный, доктор биологических наук, профессор,

член-корреспондент АН Казахской ССР,

заслуженный деятель науки Казахской ССР.

подробнее

Президент Республики Казахстан

Касым-Жомарт Токаев:

КАЗАХСТАН ВСТУПИЛ В НОВЫЙ ЭТАП МОДЕРНИЗАЦИИ

подробнее

Касым-Жомарт Токаев:

«Казахстан постепенно превращается

в региональный академический и научно-исследовательский хаб»

подробнее

Национальные ресурсы / Отчеты о НИР

Разработка фундаментальных физических подходов для получения наноразмерных ячеек памяти с новыми свойствами для записи информации на основе модифицированных халькогенидных стеклообразных полупроводников

Руководитель проекта: Лаврищев О.А.

Исполнители проекта: Приходько О.Ю.*

Организация: Научно-исследовательский институт экспериментальной и теоретической физики при КазНУ им. аль-Фараби

Инвентарный номер: 0213РК03020

Регистрационный номер: 0112РК02877

Ключевые слова: термическое испарение*аморфные пленки*примесь висмута*оптические свойства*электрические свойства нанопленок*халькогенидные полупроводники*наноразмерные ячейки памяти*

Ссылка

Исследованы электронные свойства наноразмерных пленок халькогенидного стеклообразного полупроводника Ge[2]Sb[2]Te[5] модифицированных примесью висмута (Ge[2]Sb[2]Te[5]). Пленки получались методом термического ударного (flash) испарения в вакууме. Для контроля структуры пленок Ge[2]Sb[2]Te[5] использовались методы электронной сканирующей микроскопии с энерго-дисперсионным анализом, рентгенофазовый анализ; для изучения электронных свойств использовались оптические и электрические методы; для объяснения электронных свойств пленок Ge[2]Sb[2]Te[5] использовалась модель структурных трансформаций при фазовых переходах и теория перколяции. Выявлены основные закономерности по влиянию примеси висмута на электронные свойства наноразмерных пленок Ge[2]Sb[2]Te[5]. Установлено, что в пленках Ge[2]Sb[2]Te[5] наблюдается увеличение оптического контраста. Температурные зависимости удельного сопротивления пленок Ge[2]Sb[2]Te[5] включают три характерных участка с общими закономерностями изменения удельного сопротивления от температуры. В диапазоне температур от 130 до 170 град.С происходит резкое падение удельного сопротивления пленок в результате фазового перехода из аморфного состояния в кристаллическое.*

Национальные ресурсы / Отчеты о НИР

Баннеры