Разработка покрытий и структур на основе аморфного углерода для структур электроники и фотовольтаики
Full Name of the work head: Токмолдин С.Ж.
Исполнители проекта: Чокин К.Ш.*
: Физико-технический институт
Inventory number: 0213РК02509
Registration number: 0112РК00939
Keywords: аморфный углерод*электронно-парамагнитный резонанс*прозрачное проводящее покрытие*синтез углеродных пленок*отжиг пленок*морфология пленок*плазмохимическое осаждение*
Исследованы структуры на основе аморфного углерода с целью дальнейшего создания материалов с новыми свойствами и функциональными возможностями на основе исследования корреляции их электрических, оптических характеристик и морфологии. Метод, основанный на плазмохимическом осаждении из углерод содержащих газов с помощью плазмы тлеющего разряда на ВЧ потенциале является одним из перспективных направлений развития современных нанотехнологий, получения оптических тонкопленочных материалов с определенными физическими свойствами. Сделан вывод, что магнетронный способ синтеза углеродных пленок имеет потенциал для простого и доступного легирования структур, что необходимо при достижении проводящих свойств. Проведена работа по синтезу пленок аморфного углерода на различные подложки. Подбор и подготовка подложечного материала осуществлялся по критериям фоновых и шумовых сигналов ЭПР. Проведены процессы изохорного отжига пленок на различных подложках, исследованы температурные зависимости спектров ЭПР и пропускания в видимом диапазоне. Существенные изменения формы и амплитуды сигналов спектров оптического поглощения наблюдаются на образцах отожженных при температуре свыше 600 град. С, что говорит о стабильном поведении структуры пленки до данной температуры. В случае с исследованиями ЭПР наблюдается аномальное поведение зависимости концентрации центров в диапазоне температур 475 град. - 600 град. С. Исследования морфологии и удельного сопротивления пленок показали, что данные параметры являются стабильными на всем интервале температур исследования.*