Исследованы физические процессы и механизмы формирования электронных возбуждений, их распад в щелочногалоидных кристаллах при понижении симметрии решетки, а также ангармонического характера сверхтока в джозефсоновских структурах. Рассмотрены закономерности механизмов формирования электронных возбуждений и их распад в щелочногалоидных кристаллах при понижении симметрии решетки, а также ангармонический характер сверхтока в джозефсоновских структурах. Установлено, что в кристалле KCI-Na двухгалоидный экситон в поле натрия образуется путем сборки при последовательном захвате на примеси натрия горячих дырок и электронов. Установлено, что в кристалле KI-TI при концентрации таллия 10{-5} молярных долей, с увеличением степени деформации уменьшение интенсивности таллиевой люминесценции сопровождается усилением собственной люминесценции автолокализованных экситонов. Смоделирован процесс уменьшения высоты автолокализационного барьера в иодидах щелочногалоидных металлов (NaI, KI, RbI, CsI) при одновременном повышении температуры и воздействии одноосной деформации, в рамках модернизированной теории Феррелла-Прейнджа для джозефсоновских структур с ангармонической ток-фазовой зависимостью получены выражения, описывающие влияния слабого и сильного магнитных полей, доказывающие пассивную реакцию ангармонических джозефсоновских структур на окружающее внешнее электромагнитное поле.*