Технология аккумулирования электричества на основе щелочногалоидных кристаллов при понижении симметрии решетки
Full Name of the work head: Нурмагамбетов А.А.
Исполнители проекта: Шункеев К.Ш.*
: Актюбинский региональный государственный университет им. К.Жубанова
Inventory number: 0213РК02420
Registration number: 0113РК00954
Keywords: щелочногалоидные кристаллы*ионная проводимость*криостат*ток термостимулированной деполяризации*вакансионные дефекты*симметрия решетки кристаллов*пластическая деформация*
Исследованы физические основы технологии регистрации ионной проводимости и токов термостимулированной деполяризации (ТТСД) щелочногалоидных кристаллов (ЩГК). Разработана технология регистрации ионной проводимости и ТТСД в широком интервале температур (100-700 К) ЩГК при понижении симметрии решетки легкими катионами и вакансионными дефектами пластической деформации. Разработан специальный криостат для осуществления регистрации ионной проводимости и ТТСД кристаллов, особенно, в низкотемпературной области температур (100-500 К) при воздействии деформации и радиации. Разработаны физические основы регистрации ионных дипольных токов в ЩГК при низких температурах методом термостимулированной деполяризации. В кристаллах КСI, KCI-Li, NaCI-Li и KCI-Sr обнаружена повышенная ионная проводимость, связанная с миграцией вакансий за счет легких катионов-гомологов и дивакансий, созданных пластической деформацией. В кристаллах KCI-Li, KCI-Sr и КСI зарегистрированы ТТСД дипольных комплексов и дивакансий, имеющие температуру максимальной деполяризации.*
