Исследованы кластеры сульфида кадмия малого размера. Исследовано влияние различных примесей поверхности (SH{-}, O{2-}, S{2-}) и оборванных связей поверхности кристалла CdS на образование центров захвата. Для исследования использовался метод функционала плотности, в частности для расчета электронных спектров использовался метод TD DFT. Был определен функционал плотности, который дает наиболее корректное описание величины запрещенной зоны в наноразмерных кластерах CdS. Рассмотрено влияние ионов поверхности (S{2-}, SH{-}, O{2-}) на формирование локализованных состояний.*