Нитрид алюминия и карбид кремния только недавно стали использоваться в электронике, это связано со сложностью получения бездефектной высокоориентированной структуры из-за высокой активности алюминия при высоких температурах и больших энергиях. Предлагаемый метод магнетронного напыления с распределенной плазмой и химическое осаждение металлоорганических соединений из паровой фазы отлично подходит для получения монокристаллических углеродных пленок. Проведены ростовые эксперименты по синтезу образцов гетероструктур для роста светодиодных чипов на опытной технологической установке методами реактивного магнетронного распыления и МОСVD. Получены различные образцы материалов SiC, GaN и Аl[2]O[3] на различных подложках. Проведены предварительные исследования методом оже-спектроскопии образцов гетероструктур для роста светодиодных чипов. Проведен анализ технологических процессов по синтезу образцов гетероструктур для роста светодиодных чипов. Проведен обзор технологий синтеза карбида кремния по ресурсозатратам и чистоте получаемого материала. Проведен анализ существующих и перспективных технологий роста нитридных структур на инородных подложках. По результатам анализа определены направления развития технологий синтеза структур сверхярких светодиодов. Проведен анализ рынка оборудования для производства светодиодных чипов.*