Отработаны методы создания низкозатратных функциональных и антиотражающих покрытий кремниевых солнечных элементов на основе оксида цинка, осажденного золь-гель методом. Получены проводящие и высоко прозрачные покрытия, значительно понижающие коэффициент отражения света в видимом диапазоне. Исследованы свойства созданных антиотражающих покрытий и их влияние на характеристики кремниевых СЭ, измерены световые характеристики до и после нанесения золь-гель методом слоя ZnO. Отработана методика создания антиотражающих нанотекстурированных поверхностей с низким коэффициентом отражения методом селективного химического травления, инициированного металлическими нанокластерами серебра. Достигнуто понижение коэффициента отражения с 35% до 2-3% в широкой области длин волн от 200 до 1000 нм. Текстурированные подложки, полученные методом селективного химического травления, инициированного металлическими нанокластерами серебра, перспективны для создания СЭ. Проведены предварительные опыты по осаждению нанокластеров меди и по созданию текстурированной поверхности с использованием кластеров меди. Исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики диффузионных p-n-переходов, полученных на кремнии солнечного качества. По измеренным спектрам фототока определены рекомбинационные характеристики образцов.*