Методом ионно-лучевого распыления получена структура многослойная структура типа (SiOx-SiOy-Si). Созданы солнечные батареи ионно-имплантационной технологией с синтезом нанокристаллов кремния в матрице просветляющего покрытия конкурентоспособным, технологичным и программно-контролируемым методом, обладающим высокой производительностью с помощью сильноточного низкоэнергетического ускорителя тяжелых ионов, сепарированных по массам. Пленки SiO[2], полученные методом ионной имплантации, магнетронным распылением, высокотемпературным синтезом не подвержены отслойке от поверхности матрицы, что увеличивает их эффективность и высокую стабильность их характеристик. *