Исследование наноструктуированных эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенных на подложках с металлическим типом проводимости для создания фотопреобразователей и твердотельных СВЧ-устройств
Full Name of the work head: Лаврищев О.А.
Исполнители проекта: Манаков С.М.*
: Научно-исследовательский институт экспериментальной и теоретической физики при КазНУ им. аль-Фараби
Inventory number: 0213РК01039
Registration number: 0113РК00401
Keywords: фотопреобразователи*
Разработана технология выращивания монокристаллических интерметаллических соединений с металлическим типом проводимости, получены на их основе подложки с необходимыми физическими свойствами. Выращены монокристаллы антимонида никеля, из которых изготовлены подложки ориентации (0001). На установке молекулярно пучковой эпитаксии выращены эпитаксиальные слои арсенида галлия на подложках из арсенида галлия и на подложках из антимонида никеля, исследована морфология поверхности полученных пленок, их структурные и микроскопические свойства. Выявлены технологические режимы, при которых осаждаются структурно однородные монокристаллические эпитаксиальные пленки.*
