Национальные ресурсы / Отчеты о НИР

Исследование наноструктуированных эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенных на подложках с металлическим типом проводимости для создания фотопреобразователей и твердотельных СВЧ-устройств

Руководитель проекта: Лаврищев О.А.
Исполнители проекта: Манаков С.М.*
Организация: Научно-исследовательский институт экспериментальной и теоретической физики при КазНУ им. аль-Фараби
Инвентарный номер: 0213РК01039
Регистрационный номер: 0113РК00401
Ключевые слова: фотопреобразователи*