Исследованы состав, структура оптических и люминесцентных свойств тонких приповерхностных слоев кремния. Исследованы формирование Si-C связей и кластеров, а также процессы кристаллизации в слоях, определены коэффициенты распыления для ионов различных энергий и толщина распыленного слоя. Выполнено моделирование слоистой структуры имплантированных слоев с оценкой их толщин, плотности и шероховатости. Пленки Si-C, полученные методом ионной имплантации, не подвержены отслойке от поверхности матриц, что увеличивает их эффективность в сравнении с осажденными пленками.*