Проведены исследования тонких пленок карбида кремния, монокристаллических углеродных пленок. Пленки получены методом плазмохимического осаждения из газовой фазы при помощи света. Выявлено, что свет в этих условиях вызывает химические реакции путем возбуждения дополнительных степеней свободы электронных и колебательных уровней молекул, что оказывает влияние на качество и структуру осаждаемого материала. Синтезированы пленки SiC, Al[2]O[3], GaN, AlN. Изучены физические свойства полученных образцов.