Развита теория ID-диссипативного туннелирования для структур с квантовыми точками (КТ) и квантовыми молекулами (КМ) в условиях внешнего электрического поля в системе совмещенного атомного и сканирующего туннельного микроскопа (АСМ/СТМ) при конечной температуре. Определены теоретические основы метода контролируемого роста КТ для целей наномедицины и прецизионной наноэлектроники с управляемыми характеристиками.
