Роль и влияние структурного фактора на накопление и распад дефектов иширокозонных кристаллах
Full Name of the work head: Кокетай Т.А.
Исполнители проекта: Балтабеков А.С.
: Карагандинский государственный университет им. Е.Букетова
Inventory number: 0212РК01530
Registration number: 0112РК02781
Keywords: Монокристаллы Likso4, кристаллическая структура, ионы таллия, люминесценция,
Показано, что в кристаллах LIKSO4, при перестройке кристаллической решетки происходит изменение энергии термической активизации рекомбинации радиационных дефектов матрицы. Наблюдаемые стохастические вспышки рекомбинационной люминесценции в температурной области 170-180К связываются нами с образованием "зародышей" новой фазы, которые предшествуют полиморфному фазовому переходу первого рода. Установлено, что ионы таллия в решетке LIKSO4 образуют дырочные центры, которые участвуют в рекомбинационных процессах во всех температурных диапазонах наблюдения пиков ТСЛ матрицы
