Разработка процессов формирования излучающих структур в ИК-и видимом диапазоне с квантовыми точками полупроводников А3В5 и 4 группы в Sio[2] и Si
Руководитель проекта: Исмайлова Г.А.
Исполнители проекта: Приходько О.Ю.
Организация: Национальная нанотехнологическая лаборатория открытого типа при КазНУ
Инвентарный номер: 0212РК01182
Регистрационный номер: 0112РК02474
Ключевые слова: Ионная имплантация, Светодиодные структуры,
Осуществлено комплексное исследование структурных и оптических свойств систем нанокристаллов в кристаллическом кремнии и в слоях диоксида кремния, на кремнии, полученных методом ионной имплантации и последующей термообработки. Изготовлено 9 партий экспериментальных образцов, содержащих кластерообразующие примеси.