Разработка и исследование процессов формирования нанокристаллов в слоях Si3N4 и Si3O4-xNy методами ионной имплантации и термообработок для светодиодных структур, излучающих в диапазоне 1,8-4,0 эВ
Full Name of the work head: Тогамбаева А.К.
Исполнители проекта: Тогамбаева А.К.
: Национальная нанотехнологическая лаборатория открытого типа при КазНУ
Inventory number: 0212РК02388
Registration number: 0112РК01174
Keywords: Нанотехнологии, Кремниевый светодиод, Термообработка,
Выработаны требования к параметрам слоев Si3N4 и Si3O4-xNу. Разработаны режимы осаждения на кремниевые подложки из газовой фазы при пониженном давлении. Изучен процесс формирования слоев пересыщенных растворов примесей в диэлектрических слоях на основе кремния. Сформированы диэлектрические слои на кремниевых подложках, содержащих нанокластеры кремния, олова или соединений А3В5. Изучен ход процесса и определены оптимальные условия для формирования. Установлены элементный состав примеси и распределение их концентрации по глубине диэлектрических слоев.
