Национальные ресурсы / Отчеты о НИР

Разработка и исследование процессов формирования нанокристаллов в слоях Si3N4 и Si3O4-xNy методами ионной имплантации и термообработок для светодиодных структур, излучающих в диапазоне 1,8-4,0 эВ

Руководитель проекта: Тогамбаева А.К.
Исполнители проекта: Тогамбаева А.К.
Организация: Национальная нанотехнологическая лаборатория открытого типа при КазНУ
Инвентарный номер: 0212РК02388
Регистрационный номер: 0112РК01174
Ключевые слова: Нанотехнологии, Кремниевый светодиод, Термообработка,