Методом многократной имплантации в кремний ионов углерода с энергиями 40, 20, 10, 5 и 3 кэВ синтезированы слои карбида кремния. Методом ионно-лучевого распыления двухкомпонентной мишени пучком ионов аргона осаждены на кремний пленки SiC[x]. Методами ИК-спектроскопии, АСМ, рентгеновской дифракции и рефлектометрии исследованы формирование Si-С-связей и процессы кристализации в слоях, изменения их оптических свойств, структуры и топографии поверхности после обработки в плазме и отжига. Изучена нестабильность пленок при длительном высокотемпературном отжиге.