Установлено, что при очень низких температурах процессы накопления в Al, Ti и Ta избыточных вакансий и междоузельных атомов идентичны. С повышением температуры облучения эти процессы становятся асимметричными. Наличие одной вакансии в первом окружении приводит к минимуму энергии взаимодействия атомов, во втором окружении - к максимуму энергии взаимодействия атомов, образующих гранецентрированную кристаллическую решетку. Предложена методика расчета энергии миграции вакансий.