Исследование свойств наноструктурированных радиационных дефектов в ионно-диэлектрических материалах при понижении симметрии решетки в широком диапазоне температур
Full Name of the work head: К.Ш.Шункеев
Исполнители проекта: К.Ш.Шункеев
: Актоб. гос. пед. ин-т
Inventory number: 0210РК00797
Registration number: 0109РК00478
Keywords: Щелочно-галоидные кристаллы, Дефекты кристаллических структур, Радиационные дефекты, Диэлектрики, Ионные диэлектрики, Наноструктурные материалы, Облучение материалов,
Изучен механизм образования радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах при понижении симметрии решетки в поле легких катионов, а также вакансионных дефектов пластической деформации и напряжения упругой деформации. Установлено, что при излучательной релаксации электронных возбуждений в поле вакансионных дефектов решающую роль играют размеры вакансионного дефекта: чем больше радиус действия вакансионного дефекта, тем существеннее сдвиг в спектрах излучения. Зарегистрирована полоса поглощения в спектре, характерная для междоузельного иона галогена Cl{-}[i].
