Изучен механизм образования радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах при понижении симметрии решетки в поле легких катионов, а также вакансионных дефектов пластической деформации и напряжения упругой деформации. Установлено, что при излучательной релаксации электронных возбуждений в поле вакансионных дефектов решающую роль играют размеры вакансионного дефекта: чем больше радиус действия вакансионного дефекта, тем существеннее сдвиг в спектрах излучения. Зарегистрирована полоса поглощения в спектре, характерная для междоузельного иона галогена Cl{-}[i].