Исследование свойств наноструктурированных радиационных дефектов в ионно-диэлектрических материалах при понижении симметрии решетки в широком диапазоне температур
Full Name of the work head: К.Ш.Шункеев
Исполнители проекта: К.Ш.Шункеев
: Актоб. гос. пед. ин-т
Inventory number: 0209РК01895
Registration number: 0109РК00478
Keywords: Наноструктурные материалы, Дефекты кристаллических структур, Радиационные дефекты,
Изучена релаксация электронных возбуждений, локализованных в поле катионов-гомологов и вакансионных дефектов пластической деформации. Зарегистрированы спектры создания электронных возбуждений в поле одиночных и дипольных катионов-гомологов. Построена физическая картина ассоциации междоузельных атомов галогена в кристаллах KCl-Na, KCl-Li, KCl-Sr, KI, NaBr, KCl, KBr. При оптическом создании электронных возбуждений в поле вакансионных дефектов главным возмущающим физическим фактором является заряд вакансионного дефекта.
