Исследование наноразмерных пленок оксида цинка для создания датчиков физических величин
Руководитель проекта: Д.М.Мухамедшина
Исполнители проекта:
Организация: Физ.-техн. ин-т
Инвентарный номер: 0209РК01130
Регистрационный номер: 0107РК00570
Ключевые слова: Наноструктурные материалы, Тонкие пленки, Фотопреобразователи, Полупроводники, Пленочные материалы,
Обнаружено, что пики фотолюминесценции в ультрафиолетовой области спектра для тонких пленок ZnO более интенсивны после обработки плазмой тлеющего разряда водорода и кислорода. Экспериментально проверена возможность использования золь-гель технологии для создания фотопреобразователей на основе ZnS-ZnO-Si. При уменьшении концентрации ионов цинка в пленкообразующем растворе для осаждения пленок ZnO спектральная чувствительность фотоструктур смещается в коротковолновую область падающего излучения.