Исследование наноразмерных пленок оксида цинка для создания датчиков физических величин
Full Name of the work head: Д.М.Мухамедшина
Исполнители проекта:
: Физ.-техн. ин-т
Inventory number: 0209РК01130
Registration number: 0107РК00570
Keywords: Наноструктурные материалы, Тонкие пленки, Фотопреобразователи, Полупроводники, Пленочные материалы,
Обнаружено, что пики фотолюминесценции в ультрафиолетовой области спектра для тонких пленок ZnO более интенсивны после обработки плазмой тлеющего разряда водорода и кислорода. Экспериментально проверена возможность использования золь-гель технологии для создания фотопреобразователей на основе ZnS-ZnO-Si. При уменьшении концентрации ионов цинка в пленкообразующем растворе для осаждения пленок ZnO спектральная чувствительность фотоструктур смещается в коротковолновую область падающего излучения.
