Разработка методов получения и исследование электронных свойств нанопористых полупроводниковых слоев на основе кремния и арсенида галлия
Full Name of the work head: Т.И.Таурбаев
Исполнители проекта: Е.А.Сванбаев
: НИИ эксперим. и теорет. физ. при КазНУ
Inventory number: 0209РК00995
Registration number: 0107РК00619
Keywords: Кремний, Арсенид галлия, Наноструктурные материалы, Полупроводники, Фотолюминесценция,
Исследованы структура, фотолюминесценция и отражательные свойства, переходный ток, оптоэлектронные свойства наноразмерных слоев кремния и арсенида галлия. Оптимизирована технология формирования наноразмерных слоев кремния и арсенида галлия с высокими оптическими свойствами. Измерение спектров фотолюминесценции и коэффициента отражения света показало зависимость оптических характеристик от условий формирования слоев пористого кремния - полупроводниковых наноструктур размером 1-100 нм. Показана возможность управления фотолюминесценцией путем изменения параметров травления (плотность тока, состав электролита).
