Определены технологические режимы получения свободных наноразмерных пленок методом вакуумной жидкостной эпитаксии. Дана оценка толщины свободных наноразмерных пленок, получаемых методом отделяемого роста из раствора-расплава. Проведены моделирование процесса образования свободных монокристаллических пленок соединений AB, термодинамический анализ фазового равновесия в системах Sn(Bi)-Al-GaP/GaP, (Sn)Bi-Al-Ga-As/GaAs и Sn-In-Ga-P/InP. Выявлены закономерности фазовых равновесий, инициирующих отделяемый рост и приводящих к образованию свободных наноразмерных подложек при жидкостной эпитаксии. Выведена зависимость толщины свободных наноразмерных подложек от состава жидкой фазы. Уточнен технологический режим формирования свободно расположенных пленочных подложек в твердо-жидкофазных системах.