Объект исследования: наноструктурированные полупроводниковые пленки оксида цинка, синтезированные золь-гель-технологией. Разработана методика осаждения многослойных пленок. Исследованы спектры фотолюминесценции тонких пленок ZnO и ZnO-CоO. Показан рост пика интенсивности в ультрафиолетовой области для пленки с добавлением оксида кобальта по сравнению с пленкой, имеющей только фазу ZnO. Полученный эффект может быть использован для создания светоизлучающих структур ультрафиолетового диапазона.