Синтез тонких (130 нм) полупроводниковых пленок карбида кремния на кремнии методом ионной имплантации для микроэлектроники
Руководитель проекта: К.Х.Нусупов
Исполнители проекта: Н.Б.Бейсенханов
Организация: Физ.-техн. ин-т
Инвентарный номер: 0208РК01167
Регистрационный номер: 0107РК00576
Ключевые слова: Кремний, Полупроводники, Карбид кремния, Тонкие пленки,
Многократной имплантацией в кремний ионов углерода синтезированы слои карбида кремния. Исследованы их структура и топография поверхности после обработки в водородной плазме и высокотемпературного отжига.