Исследованы переходный ток, оптоэлектронные свойства, структура наноразмерных слоев кремния и арсенида галлия. Доказано, что высокое удельное сопротивление полупроводниковых слоев определяется малым значением дрейфовой подвижности зарядов. Пики комбинационного рассеяния образцов пористого кремния наблюдаются в диапазоне 500-520 см{-1}. Наличие плоской вершины сигнала спектра объяснено вкладом в ее формирование кристаллитов размером 2,1-3 нм. При использовании в электролите окисленного спирта в спектрах обнаружены существенное увеличение количества Si-O-Si связей, уменьшение количества углеродных комплексов, улучшение латеральной однородности пористого слоя.