Изучен механизм распада автолокализованных экситонов в поле пластической и упругой деформации в щелочно-галоидных кристаллах (ЩГК) при понижении симметрии решетки. Точечные дефекты (примеси и вакансии) повышают эффективность радиационного создания устойчивых высокотемпературных дефектов. Упругая деформация снижает вероятность ассоциации междоузельных атомов галогенов, ответственных за окрашиваемость матрицы. Зарегистрирован эффект усиления собственной люминесценции ЩГК. В кристаллах KCl, KBr эффективность создания короткоживущих F-H пар постоянна, в кристаллах KI, RbI - резко уменьшается с увеличением степени деформации, понижающей симметрию решетки.