Проведены процессы диффузии фосфора в кремнии при температуре 850-1150 {o}C. Измерены параметры диффузионных слоев. Оптимизирован процесс диффузии. Глубина n{+}-p-перехода и поверхностная концентрация фосфора зависят от температуры, времени диффузии и концентрации фосфора в пасте. Слой пористого кремния формируется на зеркально-полированной поверхности кремниевых пластин. Электрохимическое анодирование осуществляется при комнатной температуре и плотности тока 50-100 мA/cм. Выбраны оптимальный состав травителя и режимы обработки кремниевых пластин при подготовке к диффузии. Исследованы оптоэлектронные свойства пористого кремния.