Разработка методов осаждения микро- и поликристаллических пленок полупроводникового кремния для создания тонкопленочных солнечных элементов
Full Name of the work head: Ф.А.Мукашев
Исполнители проекта: Е.А.Сванбаев
: НИИ эксперим. и теорет. физ. при КазНУ
Inventory number: 0208РК01049
Registration number: 0106РК00956
Keywords: Поликристаллический кремний, Кремний, Полупроводники, Солнечные элементы, Тонкопленочные материалы,
Определены температурные режимы осаждения пленок микро- и поликристаллического кремия. При осаждении из силана скорость роста пленок меняется от 0,5 до 2,4 нм/с в зависимости от давления и температуры. Скорость роста пленок при магнетронном распылении зависит от тока разряда, расстояния "мишень - подложка" и давления газа в камере распыления. Изготовлены пленки микро- и поликристаллического кремния. Оптимизированы технологические параметры.
