Разработана технология получения тонких пленок висмутитов состава RMeBiO[4] и купратов состава RMe[2]Cu[3]O[z] методом лазерной абляции. Определены технологические условия (температура подложки, давление в камере, энергия и длительность лазерного импульса, время абляции) формирования пленок с однородной, плотной и минимальной дефектной микроструктурой. Исследована зависимость электрофизических свойств тонких пленок от технологических условий их получения. Критическая температура и ширина сверхпроводящего перехода пленок купратов зависят от температуры осаждения и давления в рабочей камере. Получены сверхпроводящие пленки с критической температурой 92 К и шириной перехода 1,8 К.