Синтез тонких (130 нм) полупроводниковых пленок карбида кремния на кремнии методом ионной имплантации для микроэлектроники
Full Name of the work head: К.Х.Нусупов
Исполнители проекта: Н.Б.Бейсенханов
: Физ.-техн. ин-т
Inventory number: 0209РК01325
Registration number: 0107РК00576
Keywords: Кремний, Полупроводники, Пленочные материалы, Тонкие пленки,
Многократной имплантацией в кремний ионов углерода синтезированы слои карбида кремния, исследованы их структура, состав и топография поверхности после высокотемпературного отжига, а также формирование Si-C-связей в имплантированном слое, влияние нанокластеров на процессы кристаллизации в слоях.